首页>IC芯片>KSB834
描述
ksb834
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
否
STMicroelectronics
PNP 集电极—基极电压
集电极—发射极最大电压
- 40 V 发射极 - 基极电压
- 6 V
直流集电极/Base Gain hfe
100 A
SMD/SMT
PowerFLAT 2 x 2
KSB834
下载资料
Samsung Group
SAMSUNG
6
238 kb
PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)